湖北:2025年完成12英寸基础硅光流片工艺开发

9月21日,湖北省政府发布发布关于加快推进“世界光谷”建设印发行动计划的通知。规划提出,支持武汉新芯、国家信息光电子创新中心、九峰山实验室、江城实验室等单位建设全国首个12英寸商用硅光子芯片创新平台,打造国内领先、世界一流的硅光子芯片供应能力和实现硅光子产品量产,同步加速硅基化合物异质集成能力应用,建立该领域国际领先的技术体系。 2024年底前完成硅光子工艺平台布线和工艺设计套件(PDK)开发,到2025年完成12英寸基础硅光子流片工艺开发,形成国际领先的硅光子晶圆铸造和制造能力。到2030年,建成12英寸硅基光电融合工艺线,建成全球前三大特色硅光子芯片工艺线,实现器件性能国际领先,形成多元化的光电芯片加工能力。

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